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三星已确保3nm工艺良品率稳定,计划明年6月量产

导读: 据国外媒体报道,5nm芯片制程工艺已顺利量产的台积电和三星电子,都在全力推进3nm工艺的量产事宜,以便占得先机,进而获得更多的代工订单。而韩国媒体最新的报道显

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  三星已确保3nm工艺良品率稳定,计划明年6月量产

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  据国外媒体报道,5nm芯片制程工艺已顺利量产的台积电和三星电子,都在全力推进3nm工艺的量产事宜,以便占得先机,进而获得更多的代工订单。

  

  而韩国媒体最新的报道显示,三星电子已确保3nm制程工艺有稳定的良品率,他们计划在明年6月份开始量产,代工相关的芯片。

  从韩国媒体的报道来看,三星电子3nm制程工艺计划在明年6月份开始量产,是三星电子方面的一名高管,当地时间周三在以在线方式举行的三星代工论坛上透露的。

  三星电子的3nm工艺,并未继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET)技术,而是采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术。三星方面表示,采用这一工艺代工的芯片,性能较5nm将提升50%,能耗降低50%。

  三星电子方面对3nm工艺寄予厚望,多年前就已开始研发事宜。在今年6月底,有外媒在报道中表示,三星电子的3nm工艺已成功流片,距离量产又更近了一步。

  目前在推进3nm工艺的另一家,是当前全球最大的芯片代工商台积电,这一工艺在按计划推进,计划今年下半年风险试产,明年大规模量产。

  好啦,这次的分享就到这里,我们下期再见!欢迎在评论区补充和留言。

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